HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）是继DDR、GDDR之后的新一代内存技术，通过3D堆叠封装工艺将多个DRAM芯片垂直堆叠，并与GPU一同封装，形成大容量、高带宽的DDR组合阵列。
在AI服务器中，HBM是GPU的"数据饲料管线"——没有HBM，GPU再强也跑不动。一台标准AI服务器对DRAM的需求是普通服务器的8倍，对NAND的需求是3倍，单台AI服务器平均配置1.7TB存储（含DRAM和SSD），远高于普通服务器的0.5TB。
根据TrendForce数据，2025年全球DRAM市场规模（含HBM）为1657亿美元，预计2026年同比增长144%至4043亿美元。2026年全球存储市场规模预计5749亿美元，同比激增159%，是2018年市场规模的3.6倍。
| 产品类型 | 2026年Q2合约价涨幅（环比） | 2026全年涨幅预测 |
|---|---|---|
| 通用型DRAM | +58%~63% | +250%~280% |
| NAND闪存 | +70%~75% | +200%~250% |
| HBM | 产能已全部售罄 | 涨价周期贯穿全年 |
*数据来源：中信建投、国盛证券、TrendForce 2026年5月
全球科技巨头疯狂锁量，2026年HBM产能已被全部预订，现货市场基本零流通。
谷歌、亚马逊、微软、Meta四家科技巨头2026年AI相关资本支出上调至7250亿美元，较2025年的4100亿美元飙升77%。花旗报告指出，2026年全球66%的DRAM产能将被AI服务器独占。
OpenAI与三星、SK海力士达成协议，计划每月采购90万片HBM晶圆用于"星际之门"数据中心建设。
三大原厂将先进制程产能系统性向HBM倾斜，挤压常规DRAM与NAND供给。全球晶圆厂产能利用率已飙升至90%以上，部分产线满负荷运转。SK海力士库存仅剩约4周，产品"产出后立即发货，几乎没有库存积累空间"。
存储行业从产能规划、设备投入到实现稳定量产，一般需要约18至24个月。新增产能释放节奏集中在2026年下半年至2028年。
2025年DRAM市场整体格局（TrendForce）：SK海力士33.2%、三星32.6%、美光25.7%、长鑫存储5.8%。SK海力士凭借HBM领域领先优势首度超越三星登顶。
⭐ 技术竞赛：HBM4成为决胜关键，2026年渗透率预计达51%
HBM3E占比超95%，是当前出货主力。SK海力士以12层36GB版本创下11.7Gbps行业纪录。
HBM4预计2026年下半年接棒成为主流，Yole预测2026年HBM4渗透率将达到51%。
| 参数 | SK海力士 HBM4 | 三星 HBM4 | 美光 HBM4 |
|---|---|---|---|
| 堆叠层数 | 16层 | 12层 | 待公布 |
| 容量 | 48GB | 36GB | 待公布 |
| 带宽 | 2TB/s+ | 1.2TB/s | 2.8TB/s+ |
| 引脚速度 | 6.4Gbps | 11.7Gbps | 11Gbps+ |
| 量产时间 | 2025年9月 | 2026年下半年 | 2026年Q2 |
高盛估算，仅HBM业务三星2026年将实现收入150亿美元，同比翻倍。瑞银定义当前周期为"近三十年一遇"的存储超级周期。
• 存储原厂：三星、SK海力士、美光直接受益于超级周期
• 封装环节：先进封装技术（TSV、MR-MUF）成为关键壁垒
• 设备环节：ASML EUV光刻机需求旺盛，客户甚至主动提出提供资金支持
• 国产替代：长鑫存储DDR5已达8000Mbps，长江存储突破192层堆叠
• 技术迭代风险：HBM4量产良率待验证
• 产能释放节奏：2027年后新增产能逐步落地可能缓解供需
• 订单集中风险：三大原厂客户高度集中（英伟达、微软、谷歌、Meta）
• 地缘政治：半导体供应链风险持续