存储芯片
HBM
AI算力
韩国股市
52.58万亿
26Q1营收(韩元)，同比+198%
一、公司概况
SK海力士是全球领先的半导体存储芯片企业，总部位于韩国利川，主要从事DRAM和NAND闪存的设计、制造与销售。公司是全球HBM（高带宽内存）市场的绝对龙头，也是英伟达AI芯片的核心供应商。
| 项目 |
内容 |
| 股票代码 |
000660.KS（韩国交易所） |
| 成立时间 |
1983年（前身现代电子产业株式会社） |
| 主要产品 |
DRAM、NAND Flash、HBM高带宽内存 |
| 核心客户 |
英伟达（占全球销售23.9%）、谷歌、微软、Meta、亚马逊 |
| 主要生产基地 |
韩国利川M16、清州M15X、中国无锡 |
| 最新工艺 |
1c纳米（第六代10纳米级） |
二、核心投资逻辑
🎯 核心逻辑：AI存储超级周期最大赢家，HBM垄断地位难以撼动
- HBM市占率60%+：全球唯一同时稳定供应HBM3E和HBM4的厂商，独占英伟达Blackwell平台约75%供货份额
- 业绩爆发式增长：26Q1营收同比+198%，营业利润率达72%，超越台积电（58%）和美光（67.6%）
- 存储超级周期：瑞银定义为"近三十年一遇"，2026年供需缺口DRAM 4.9%、NAND 4.2%、HBM 5.1%
- 涨价持续：DRAM合约价26Q1环比+60%，26Q2预计再涨58%-63%；NAND 26Q1环比+70%，26Q2预计再涨70%-75%
1. HBM绝对龙头：英伟达GPU核心供应商
SK海力士是全球HBM市场的绝对领导者，技术与市场份额遥遥领先：
- 英伟达独家供应：HBM3E是英伟达Blackwell平台的独家供应商，Blackwell平台HBM3e供货占比约75%
- HBM4领先量产：2025年3月交付全球首批12层HBM4样品，6月小批量出货，10月快速进入量产
- HBM4E研发中：计划2026年下半年向客户出样下一代HBM4E，2027年实现量产
- 产能锁定至2028：HBM等高端产品产能已预订至2028年，2026年全年产品100%被客户长单锁定
2. 财务数据：超级周期下的惊人爆发
| 指标 |
26Q1 |
25Q4 |
25Q1 |
同比 |
| 营收 |
52.58万亿韩元 |
32.86万亿韩元 |
17.66万亿韩元 |
+198% |
| 营业利润 |
37.61万亿韩元 |
19.23万亿韩元 |
7.45万亿韩元 |
+405% |
| 净利润 |
40.35万亿韩元 |
15.22万亿韩元 |
8.10万亿韩元 |
+398% |
| 营业利润率 |
72% |
59% |
42% |
+30pct |
- 2025年营收约97万亿韩元，创历史新高，净利润42.9万亿韩元，净利率44.2%
- 2025年资本开支30.17万亿韩元，同比增长68%，创历史最高纪录
- 截至2025年末，现金及等价物34.94万亿韩元，六年来首次实现净现金状态
- 2025年员工人均年终奖1.42亿韩元（约69万人民币）
- 2026年资本开支预计显著增长，主要用于龙仁集群基础设施筹备、M15X产能爬坡
3. 产品结构：HBM贡献超40% DRAM收入
尽管HBM在DRAM总出货量中占比仅14%左右，但其销售额在整体DRAM收入贡献超40%。
- 已完成业界首个1c纳米制程LPDDR6的开发，计划2026年下半年从主要智能手机客户开始供应
- 基于1c纳米制程的192GB SOCAMM2产品已于2026年4月开始量产，针对NVIDIA Vera Rubin平台优化
- NAND端已启动基于CTF架构321层QLC的PQC21产品供货
- 与SanDisk合作的高带宽闪存（HBF）预计在2026年1月底推出alpha版本，2027年推出客户原型
三、市场格局与竞争态势
全球DRAM市场：三大厂商垄断97%+
| 厂商 |
市场份额 |
HBM地位 |
| 三星电子 |
41.5% |
HBM3E获英伟达认证，HBM4E样品中 |
| SK海力士 |
34.4% |
绝对龙头，HBM3E/HBM4独家供应 |
| 美光科技 |
21.5% |
HBM3E已获英伟达认证，HBM4样品中 |
HBM市场份额（2025年预测）
- SK海力士：59%（出货量份额）
- 三星：约20%
- 美光：约20%
供需缺口：超级周期延续至2027年
| 产品 |
2026年供需缺口 |
价格走势 |
| DRAM |
4.9% |
26Q1+60%, 26Q2预计再+58%-63% |
| NAND |
4.2% |
26Q1+70%, 26Q2预计再+70%-75% |
| HBM |
5.1% |
HBM3e涨价30%，订单排期至2027年 |
- 全球66%的DRAM产能将被AI服务器独占（花旗报告）
- 2026年全球生产内存中70%将被数据中心消耗（TrendForce）
- SK海力士库存仅剩约4周，几乎无库存积累空间
- 全球晶圆厂产能利用率已飙升至90%以上
四、客户结构与订单情况
美国客户贡献近70%收入
2025年SK海力士近70%（约66.89万亿韩元）的收入来自美国客户，较往年39%-53%的占比大幅提升，标志着公司已转型为以美国市场为中心的存储巨头。
- 英伟达：单家贡献约23.26万亿韩元，占全球总销售额的23.9%，为第一大客户
- AI需求爆发：搭载HBM3E的英伟达Blackwell GPU需求旺盛，英伟达大幅追加HBM3E订单
- 深度绑定：2025年10月英伟达与SK集团宣布合作，继续推进SK海力士HBM及下一代先进内存方案
- 客户追着帮它买光刻机：为确保产能供应，客户主动协助SK海力士采购设备
2026年产品已100%锁定
- 2026年全产品（HBM/DRAM/NAND）已100%被客户长单锁定，无额外产能可供销售
- 3-5年的长单已达90%，公司对后续市场需求极度看好
- HBM总出货量目标维持约200亿Gb
五、业绩展望与机构观点
| 机构 |
评级 |
目标价 |
核心观点 |
| 瑞银 |
上调目标价 |
170万韩元 |
近三十年一遇存储超级周期，供需缺口延续至2027Q4 |
| 交银国际 |
首次覆盖买入 |
130万韩元 |
本世纪最强上行周期，上行周期或至少持续至2027年首季 |
| 第一上海证券 |
买入 |
210万韩元 |
AI带动存储行业周期将持续更长时间，给予2026财年7倍PE |
2026年全年指引
- 预计2026年销售额将突破165万亿韩元（约1100亿美元）
- 营业利润有望超过100万亿韩元（约670亿美元），成为韩国首家达到这一里程碑的半导体企业
- 预计存储芯片供应紧张局面将持续至2027年，推动价格全年上涨
- 26Q2 DRAM出货量预计环比高个位数增长，NAND出货量环比中双位数增长
瑞银大幅上调盈利预测
| 指标 |
预测值 |
超市场预期幅度 |
| 2026年营收 |
355.1万亿韩元 |
超市场预期41% |
| 2026年营业利润 |
286万亿韩元 |
超市场预期57% |
| 2027年营收 |
531.6万亿韩元 |
超市场预期65% |
| 2027年营业利润 |
443.5万亿韩元 |
超市场预期88% |
六、技术路线与产能规划
制程工艺
- 1c纳米（第六代10纳米级）：2025年末开始量产，良率和量产能力已达成熟阶段
- LPDDR6：已完成业界首个1c纳米制程LPDDR6开发，相比LPDDR5X数据处理速度提升33%、能效提升20%以上
- HBM4：拥有2048个I/O终端，带宽翻倍，引脚速度在6.4Gbps以上
- HBM4E：基底芯片与客户协作开发，核心芯片采用已成熟量产的1c纳米技术
产能扩张
- M15X（清州）：主要用于生产HBM产品和1b纳米制程DRAM，产能爬坡中
- 龙仁集群：基础设施筹备中，2026年资本开支显著增长
- 封装测试：P&T（封装与测试）产能扩张，满足AI加速器对HBM及高容量eSSD激增的需求
七、风险因素
- 英伟达下一代芯片量产不及预期：Vera Rubin芯片在量产工艺、良率及封装方面面临挑战，HBM4出货量计划下调20%-30%
- 竞争加剧：三星、美光加速追赶HBM市场，12层HBM3E均已获得英伟达认证
- 地缘政治风险：美中贸易摩擦可能影响中国市场交付
- HBM4爬坡慢于预期：HBM4产能爬坡速度和良率仍有不确定性
- 估值压力：当前市值9000亿美元，处于历史高位
八、投资建议
📊 综合研判：存储超级周期核心受益标的
核心看点：
- AI驱动HBM需求爆发，SK海力士作为英伟达HBM核心供应商，订单排期已至2027年
- 存储芯片供需缺口持续，价格上涨周期远未结束，DRAM 26Q2合约价预计再涨58%-63%
- 业绩确定性极高，2026年营业利润预计超100万亿韩元，同比增长约133%
- 资产负债表强劲，现金充裕，股东回报空间大
操作建议：
- 短期股价已创新高，市值突破9000亿美元，注意高估值风险
- 关注HBM4量产进度和Vera Rubin平台量产节奏
- 中长期看，本轮存储超级周期与以往不同，AI需求提供结构性增长，周期韧性更强
风险提示：Vera Rubin量产延迟、HBM4爬坡不及预期、三星美光追赶超预期、地缘政治风险、估值回调风险。